SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
♠ ઉત્પાદન વર્ણન
| ઉત્પાદન વિશેષતા | વિશેષતા મૂલ્ય |
| ઉત્પાદક: | વિષય |
| ઉત્પાદન ના પ્રકાર: | MOSFET |
| RoHS: | વિગતો |
| ટેકનોલોજી: | Si |
| માઉન્ટ કરવાની શૈલી: | SMD/SMT |
| પેકેજ/કેસ: | SOIC-8 |
| ટ્રાન્ઝિસ્ટર પોલેરિટી: | એન-ચેનલ |
| ચેનલોની સંખ્યા: | 2 ચેનલ |
| Vds - ડ્રેઇન-સોર્સ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ: | 60 વી |
| આઈડી - સતત ડ્રેઇન વર્તમાન: | 5.3 એ |
| Rds ચાલુ - ડ્રેઇન-સોર્સ પ્રતિકાર: | 58 mOhms |
| Vgs - ગેટ-સોર્સ વોલ્ટેજ: | - 20 વી, + 20 વી |
| Vgs th - ગેટ-સોર્સ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ: | 1 વી |
| Qg - ગેટ ચાર્જ: | 13 nC |
| ન્યૂનતમ ઓપરેટિંગ તાપમાન: | - 55 સે |
| મહત્તમ ઓપરેટિંગ તાપમાન: | + 150 સે |
| પીડી - પાવર ડિસીપેશન: | 3.1 ડબલ્યુ |
| ચેનલ મોડ: | ઉન્નતીકરણ |
| પેઢી નું નામ: | TrenchFET |
| પેકેજિંગ: | રીલ |
| પેકેજિંગ: | ટેપ કાપો |
| પેકેજિંગ: | માઉસરીલ |
| બ્રાન્ડ: | વિષય સેમિકન્ડક્ટર્સ |
| રૂપરેખાંકન: | ડ્યુઅલ |
| પડવાનો સમય: | 10 એનએસ |
| ફોરવર્ડ ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ - ન્યૂનતમ: | 15 એસ |
| ઉત્પાદનો પ્રકાર: | MOSFET |
| ઉદય સમય: | 15 એનએસ, 65 એનએસ |
| શ્રેણી: | SI9 |
| ફેક્ટરી પેક જથ્થો: | 2500 |
| ઉપશ્રેણી: | MOSFETs |
| ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: | 2 એન-ચેનલ |
| લાક્ષણિક ટર્ન-ઑફ વિલંબ સમય: | 10 એનએસ, 15 એનએસ |
| લાક્ષણિક ટર્ન-ઑન વિલંબ સમય: | 15 એનએસ, 20 એનએસ |
| ભાગ # ઉપનામો: | SI9945BDY-GE3 |
| એકમ વજન: | 750 મિલિગ્રામ |
• TrenchFET® પાવર MOSFET
• LCD ટીવી CCFL ઇન્વર્ટર
• લોડ સ્વીચ
