VNLD5090TR-E ગેટ ડ્રાઇવર્સ OMNIFET III સંપૂર્ણપણે લો-સાઇડ drvr ને સુરક્ષિત કરે છે
♠ ઉત્પાદન વર્ણન
| ઉત્પાદન વિશેષતા | વિશેષતા મૂલ્ય |
| ઉત્પાદક: | એસટીમાઈક્રોઈલેક્ટ્રોનિક્સ |
| ઉત્પાદન ના પ્રકાર: | ગેટ ડ્રાઇવરો |
| RoHS: | વિગતો |
| ઉત્પાદન: | ડ્રાઈવર આઈસી - વિવિધ |
| પ્રકાર: | લો-સાઇડ |
| માઉન્ટ કરવાની શૈલી: | SMD/SMT |
| પેકેજ/કેસ: | SOIC-8 |
| ડ્રાઇવરોની સંખ્યા: | 1 ડ્રાઈવર |
| આઉટપુટની સંખ્યા: | 2 આઉટપુટ |
| આઉટપુટ વર્તમાન: | 18 એ |
| સપ્લાય વોલ્ટેજ - ન્યૂનતમ: | 4.5 વી |
| સપ્લાય વોલ્ટેજ - મહત્તમ: | 5.5 વી |
| ઉદય સમય: | 10 અમને |
| પડવાનો સમય: | 2.7 અમને |
| ન્યૂનતમ ઓપરેટિંગ તાપમાન: | - 40 સે |
| મહત્તમ ઓપરેટિંગ તાપમાન: | + 150 સે |
| શ્રેણી: | VNLD5090-E |
| લાયકાત: | AEC-Q100 |
| પેકેજિંગ: | રીલ |
| પેકેજિંગ: | ટેપ કાપો |
| પેકેજિંગ: | માઉસરીલ |
| બ્રાન્ડ: | એસટીમાઈક્રોઈલેક્ટ્રોનિક્સ |
| મહત્તમ ટર્ન-ઓફ વિલંબ સમય: | 3.4 અમને |
| મહત્તમ ટર્ન-ઓન વિલંબ સમય: | 8 અમને |
| ભેજ પ્રત્યે સંવેદનશીલ: | હા |
| ઓપરેટિંગ સપ્લાય વર્તમાન: | 30 uA |
| ઉત્પાદનો પ્રકાર: | ગેટ ડ્રાઇવરો |
| Rds ચાલુ - ડ્રેઇન-સોર્સ પ્રતિકાર: | 90 mOhms |
| બંધ કરો: | બંધ કરો |
| ફેક્ટરી પેક જથ્થો: | 2500 |
| ઉપશ્રેણી: | PMIC - પાવર મેનેજમેન્ટ ICs |
| ટેકનોલોજી: | Si |
| એકમ વજન: | 150 મિલિગ્રામ |
♠ OMNIFET III ઓટોમોટિવ એપ્લિકેશન્સ માટે સંપૂર્ણ રીતે સુરક્ષિત લો-સાઇડ ડ્રાઇવર
VNLD5090-E એ STMicroelectronics® VIPower® ટેક્નોલોજીનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવેલ એક મોનોલિથિક ઉપકરણ છે, જેનો હેતુ બેટરી સાથે જોડાયેલ એક બાજુ સાથે પ્રતિકારક અથવા ઇન્ડક્ટિવ લોડ ચલાવવા માટે છે.બિલ્ટ-ઇન થર્મલ શટડાઉન ચિપને વધુ તાપમાન અને શોર્ટ-સર્કિટથી સુરક્ષિત કરે છે.આઉટપુટ વર્તમાન મર્યાદા ઓવરલોડ સ્થિતિમાં ઉપકરણને સુરક્ષિત કરે છે.લાંબા ગાળાના ઓવરલોડના કિસ્સામાં, ઉપકરણ વિખરાયેલી શક્તિને થર્મલ શટડાઉન દરમિયાનગીરી સુધી સુરક્ષિત સ્તર સુધી મર્યાદિત કરે છે. થર્મલ શટડાઉન, આપોઆપ પુનઃપ્રારંભ સાથે, ખામીની સ્થિતિ અદૃશ્ય થઈ જાય કે તરત જ ઉપકરણને સામાન્ય કામગીરી પુનઃપ્રાપ્ત કરવાની મંજૂરી આપે છે.ઇન્ડક્ટિવ લોડ્સનું ઝડપી ડિમેગ્નેટાઇઝેશન ટર્ન-ઑફ પર પ્રાપ્ત થાય છે.
·AEC-Q100 લાયક
·ડ્રેઇન કરંટ: 13 એ
·ESD રક્ષણ
·ઓવરવોલ્ટેજ ક્લેમ્બ
·થર્મલ શટડાઉન
·વર્તમાન અને પાવર મર્યાદા
·ખૂબ જ ઓછો સ્ટેન્ડબાય વર્તમાન
·ખૂબ ઓછી ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક સંવેદનશીલતા
·2002/95/EC યુરોપીયન નિર્દેશના પાલનમાં
