VNL5030JTR-E ગેટ ડ્રાઇવર્સ OMNIFET III ડ્રાઇવર લો-સાઇડ ESD VIPower
♠ ઉત્પાદન વર્ણન
| ઉત્પાદન લક્ષણ | લક્ષણ મૂલ્ય |
| ઉત્પાદક: | એસટીમાઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક્સ |
| ઉત્પાદન શ્રેણી: | ગેટ ડ્રાઇવર્સ |
| શ્રેણી: | VNL5030J-E નો પરિચય |
| લાયકાત: | AEC-Q100 માટે તપાસ સબમિટ કરો, અમે 24 કલાકમાં AEC-Q100 નો પરિચય આપીશું. |
| પેકેજિંગ: | રીલ |
| પેકેજિંગ: | ટેપ કાપો |
| પેકેજિંગ: | માઉસરીલ |
| બ્રાન્ડ: | એસટીમાઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક્સ |
| ભેજ સંવેદનશીલ: | હા |
| ઉત્પાદન પ્રકાર: | ગેટ ડ્રાઇવર્સ |
| ફેક્ટરી પેક જથ્થો: | ૨૫૦૦ |
| ઉપશ્રેણી: | PMIC - પાવર મેનેજમેન્ટ ICs |
| ટેકનોલોજી: | Si |
| એકમ વજન: | ૦.૦૦૪૦૦૪ ઔંસ |
♠ OMNIFET III સંપૂર્ણપણે સુરક્ષિત લો-સાઇડ ડ્રાઇવર
VNL5030J-E અને VNL5030S5-E એ STMicroelectronics® VIPower® ટેકનોલોજીનો ઉપયોગ કરીને બનાવેલા મોનોલિથિક ઉપકરણો છે, જેનો હેતુ બેટરી સાથે એક બાજુ જોડાયેલ પ્રતિકારક અથવા ઇન્ડક્ટિવ લોડ ચલાવવા માટે છે. બિલ્ટ-ઇન થર્મલ શટડાઉન ચિપને વધુ પડતા તાપમાન અને શોર્ટ-સર્કિટથી રક્ષણ આપે છે. આઉટપુટ કરંટ મર્યાદા ઓવરલોડ સ્થિતિમાં ઉપકરણોનું રક્ષણ કરે છે. લાંબા ગાળાના ઓવરલોડના કિસ્સામાં, ઉપકરણ વિખરાયેલા પાવરને થર્મલ શટડાઉન હસ્તક્ષેપ સુધી સુરક્ષિત સ્તર સુધી મર્યાદિત કરે છે. ઓટોમેટિક રીસ્ટાર્ટ સાથે થર્મલ શટડાઉન, ફોલ્ટ સ્થિતિ અદૃશ્ય થતાં જ ઉપકરણને સામાન્ય કામગીરી પુનઃપ્રાપ્ત કરવાની મંજૂરી આપે છે. ટર્ન-ઓફ પર ઇન્ડક્ટિવ લોડનું ઝડપી ડિમેગ્નેટાઇઝેશન પ્રાપ્ત થાય છે.
• ઓટોમોટિવ લાયકાત ધરાવનાર
• ડ્રેઇન કરંટ: 25 A
• ESD રક્ષણ
• ઓવરવોલ્ટેજ ક્લેમ્પ
• થર્મલ શટડાઉન
• વર્તમાન અને પાવર મર્યાદા
• ખૂબ જ ઓછો સ્ટેન્ડબાય કરંટ
• ખૂબ ઓછી ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક સંવેદનશીલતા
• યુરોપિયન નિર્દેશ 2002/95/EC નું પાલન કરે છે.
• ઓપન ડ્રેઇન સ્ટેટસ આઉટપુટ
