SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
♠ ઉત્પાદન વર્ણન
| ઉત્પાદન વિશેષતા | વિશેષતા મૂલ્ય |
| ઉત્પાદક: | વિષય |
| ઉત્પાદન ના પ્રકાર: | MOSFET |
| RoHS: | વિગતો |
| ટેકનોલોજી: | Si |
| માઉન્ટ કરવાની શૈલી: | SMD/SMT |
| પેકેજ / કેસ: | TSOP-6 |
| ટ્રાન્ઝિસ્ટર પોલેરિટી: | પી-ચેનલ |
| ચેનલોની સંખ્યા: | 1 ચેનલ |
| Vds - ડ્રેઇન-સોર્સ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ: | 30 વી |
| આઈડી - સતત ડ્રેઇન વર્તમાન: | 8 એ |
| Rds ચાલુ - ડ્રેઇન-સોર્સ પ્રતિકાર: | 36 mOhms |
| Vgs - ગેટ-સોર્સ વોલ્ટેજ: | - 20 વી, + 20 વી |
| Vgs th - ગેટ-સોર્સ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ: | 3 વી |
| Qg - ગેટ ચાર્જ: | 50 nC |
| ન્યૂનતમ ઓપરેટિંગ તાપમાન: | - 55 સે |
| મહત્તમ ઓપરેટિંગ તાપમાન: | + 150 સે |
| પીડી - પાવર ડિસીપેશન: | 4.2 ડબલ્યુ |
| ચેનલ મોડ: | ઉન્નતીકરણ |
| પેઢી નું નામ: | TrenchFET |
| શ્રેણી: | SI3 |
| પેકેજિંગ: | રીલ |
| પેકેજિંગ: | ટેપ કાપો |
| પેકેજિંગ: | માઉસરીલ |
| બ્રાન્ડ: | વિષય સેમિકન્ડક્ટર્સ |
| રૂપરેખાંકન: | એકલુ |
| ઊંચાઈ: | 1.1 મીમી |
| લંબાઈ: | 3.05 મીમી |
| ઉત્પાદનો પ્રકાર: | MOSFET |
| ફેક્ટરી પેક જથ્થો: | 3000 |
| ઉપશ્રેણી: | MOSFETs |
| પહોળાઈ: | 1.65 મીમી |
| એકમ વજન: | 0.000705 ઔંસ |
• TrenchFET® પાવર MOSFET
• 100 % Rg અને UIS પરીક્ષણ કરેલ
સામગ્રીનું વર્ગીકરણ:
અનુપાલનની વ્યાખ્યાઓ માટે કૃપા કરીને ડેટાશીટ જુઓ.
• લોડ સ્વીચો
• એડેપ્ટર સ્વિચ
• DC/DC કન્વર્ટર
• મોબાઈલ કોમ્પ્યુટીંગ/ગ્રાહક માટે
