BUK9K35-60E,115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ ઉત્પાદન વર્ણન
| ઉત્પાદન લક્ષણ | લક્ષણ મૂલ્ય |
| ઉત્પાદક: | નેક્સપેરિયા |
| ઉત્પાદન શ્રેણી: | મોસ્ફેટ |
| વાયર: | વિગતો |
| ટેકનોલોજી: | Si |
| માઉન્ટિંગ શૈલી: | એસએમડી/એસએમટી |
| પેકેજ / કેસ: | LFPAK-56D-8 નો પરિચય |
| ટ્રાન્ઝિસ્ટર પોલેરિટી: | એન-ચેનલ |
| ચેનલોની સંખ્યા: | 2 ચેનલ |
| Vds - ડ્રેઇન-સોર્સ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ: | ૬૦ વી |
| Id - સતત ડ્રેઇન કરંટ: | 22 એ |
| રોડ ઓન - ડ્રેઇન-સોર્સ પ્રતિકાર: | ૩૨ એમઓહ્મ |
| Vgs - ગેટ-સોર્સ વોલ્ટેજ: | - ૧૦ વોલ્ટ, + ૧૦ વોલ્ટ |
| Vgs th - ગેટ-સોર્સ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ: | ૧.૪ વી |
| Qg - ગેટ ચાર્જ: | ૭.૮ એનસી |
| ન્યૂનતમ ઓપરેટિંગ તાપમાન: | - ૫૫ સે. |
| મહત્તમ ઓપરેટિંગ તાપમાન: | + ૧૭૫ સે. |
| પીડી - પાવર ડિસીપેશન: | ૩૮ ડબલ્યુ |
| ચેનલ મોડ: | ઉન્નતીકરણ |
| લાયકાત: | AEC-Q101 માટે તપાસ સબમિટ કરો, અમે 24 કલાકમાં તમારો સંપર્ક કરીશું. |
| પેકેજિંગ: | રીલ |
| પેકેજિંગ: | ટેપ કાપો |
| પેકેજિંગ: | માઉસરીલ |
| બ્રાન્ડ: | નેક્સપેરિયા |
| રૂપરેખાંકન: | ડ્યુઅલ |
| પાનખર સમય: | ૧૦.૬ એનએસ |
| ઉત્પાદન પ્રકાર: | મોસ્ફેટ |
| ઉદય સમય: | ૧૧.૩ એનએસ |
| ફેક્ટરી પેક જથ્થો: | ૧૫૦૦ |
| ઉપશ્રેણી: | MOSFETs |
| ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: | 2 એન-ચેનલ |
| લાક્ષણિક ટર્ન-ઓફ વિલંબ સમય: | ૧૪.૯ એનએસ |
| લાક્ષણિક ટર્ન-ઓન વિલંબ સમય: | ૭.૧ એનએસ |
| ભાગ # ઉપનામો: | ૯૩૪૦૬૬૯૭૭૧૧૫ |
| એકમ વજન: | ૦.૦૦૩૯૫૮ ઔંસ |
♠ BUK9K35-60E ડ્યુઅલ N-ચેનલ 60 V, 35 mΩ લોજિક લેવલ MOSFET
TrenchMOS ટેકનોલોજીનો ઉપયોગ કરીને LFPAK56D (ડ્યુઅલ પાવર-SO8) પેકેજમાં ડ્યુઅલ લોજિક લેવલ N-ચેનલ MOSFET. આ પ્રોડક્ટને ઉચ્ચ પ્રદર્શન ઓટોમોટિવ એપ્લિકેશન્સમાં ઉપયોગ માટે AEC Q101 ધોરણ અનુસાર ડિઝાઇન અને લાયક બનાવવામાં આવી છે.
• ડ્યુઅલ MOSFET
• Q101 સુસંગત
• પુનરાવર્તિત હિમપ્રપાત રેટ કરેલ
• ૧૭૫ °C રેટિંગને કારણે ગરમીની માંગ કરતા વાતાવરણ માટે યોગ્ય
• ૧૭૫ °C તાપમાને ૦.૫ V થી વધુ VGS(th) રેટિંગ સાથે ટ્રુ લોજિક લેવલ ગેટ
• ૧૨ વી ઓટોમોટિવ સિસ્ટમ્સ
• મોટર્સ, લેમ્પ્સ અને સોલેનોઇડ નિયંત્રણ
• ટ્રાન્સમિશન નિયંત્રણ
• અતિ ઉચ્ચ પ્રદર્શન પાવર સ્વિચિંગ
